Система детектування EBSD від Oxford Instruments
Метод EBSD (Electron backscattered diffraction, дифракції обернено розсіяних електронів), ще один додатковий метод визначення параметрів зразка в скануючому електронному мікроскопі (SEM). EBSD дозволяє визначати тип і орієнтацію кристалічної решітки локально в кожній точці зразка. Локальність при вивченні масивних зразків становить близько 30 нм.
Застосовується метод EBSD в металургії, матеріалознавстві і фізиці із-за відносної простоти підготовки зразка, високої швидкість збору даних, а також можливості отримання однозначної інформації про мікроструктуру об’єкта дослідження.
EBSD незамінний при ідентифікації фаз у випадках, коли досліджувані фази мають близький (або зовсім однаковий) склад, відповідно не ідентифікуються за допомогою енергодисперсійного спектрометра, але при цьому мають різну будову кристалічних решіток. Картування поверхні зразка за допомогою детектора EBSD дозволяє виявити розташування кристалітів, визначити орієнтацію кожного з кристалітів по відношенню до виділеного напрямку на зразку (наприклад, до напрямку прокатки), знайти типи міжзернових кордонів, внутрішню напругу в зернах та інше. Безліч інформації крім фазових і орієнтаційних карт може бути отримано з масиву даних, в якому записані тип і орієнтація кристалічної решітки для кожного пікселя на поверхні зразка, обраної для картування.
Детектори EBSD (Symmetry, C-Swift, C-Nano) від компанії Oxford Instruments для одночасного аналізу структури, текстури і хімічного складу матеріалів.
- Зручний і простий у використанні інтерфейс.
- Автоматичне калібрування детектора EBSD.
- Картування з отриманням повних спектральних даних EDS одночасно з даними EBSD, що спрощує повторний аналіз і інтерпретацію результатів.
- Унікальний датчик наближення – виявляє потенційні можливості зіткнення до того, як вони відбудуться, і автоматично переміщує детектор у безпечне положення.
- Революційно підвищує продуктивність: швидке налаштування, швидкий аналіз, швидка звітність.
Symmetry | C-Swift | C-Nano | |
---|---|---|---|
Швидкість картування орієнтації з одночасним індексуванням | 3000 точок за секунду при струмі пучка 12 нА | 1000 точок за секунду при струмі пучка 12 нА | 400 точок за секунду при струмі пучка 3 нА |
Роздільна здатність зображення з максимальною швидкістю індексації | 156 x 128 пікселів | 156 x 128 пікселів | 312 x 256 пікселів |
Розмір картинки | 1244 х 1024 пікселів | 622 x 512 пікселів | 1244 х 1024 пікселів |
Оптика | з мінімальними спотворенням, кутова точність краща за 0,05 ° | з мінімальними спотворенням, кутова точність краща за 0,05 °° | з мінімальними спотворенням, кутова точність краща за 0,05 °° |
Сильфонне під’єднання до SEM | Так | Так | Так |