Система детектування EBSD від Oxford Instruments

Система детектування EBSD від Oxford Instruments

Метод EBSD (Electron backscattered diffraction, дифракції обернено розсіяних електронів), ще один додатковий методо визначення параметрів зразка в скануючому електронному мікроскопі (SEM). EBSD дозволяє визначати тип і орієнтацію кристалічної решітки локально в кожній точці зразка. Локальність при вивченні масивних зразків становить близько 30 нм.

Застосовується метод EBSD в металургії, матеріалознавстві і фізиці із-за відносної простоти підготовки зразка, високої швидкість збору даних, а також можливості отримання однозначної інформації про мікроструктуру об’єкта дослідження.

EBSD незамінний при ідентифікації фаз у випадках, коли досліджувані фази мають близький (або зовсім однаковий) склад, відповідно не ідентифікуються завдяки енергодисперсійного спектрометра, але при цьому мають різну будову кристалічних решіток. Картування поверхні зразка за допомогою детектора EBSD дозволяє виявити розташування кристалітів, визначити орієнтацію кожного з кристалітів по відношенню до виділеного напрямку на зразку (наприклад, до напрямку прокатки), знайти типи міжзернових кордонів, внутрішню напруга в зернах та інше. Безліч інформації крім фазових і орієнтаційних карт може бути отримано з масиву даних, в якому записані тип і орієнтація кристалічної решітки для кожного пікселя на поверхні зразка, обраної для картування.

Детектори EBSD (Symmetry, C-Swift, C-Nano) від компанії Oxford Instruments для одночасного аналізу структури, текстури і хімічного складу матеріалів.

Новації | Аналитические системи Oxford Instruments
  • Зручний і простий у використанні інтерфейс.
  • Автоматичне калібрування детектора EBSD.
  • Картування з отриманням повних спектральних даних EDS одночасно з даними EBSD, що спрощує повторний аналіз і інтерпретацію результатів.
  • Унікальний датчик наближення – виявляє потенційні можливості зіткнення до того, як вони відбудуться, і автоматично переміщує детектор у безпечне положення.
  • Революційно підвищує продуктивність: швидке налаштування, швидкий аналіз, швидка звітність.
 SymmetryC-SwiftC-Nano
Швидкість картування орієнтації з одночасним індексуванням3000 точок за секунду при струмі пучка 12 нА1000 точок за секунду при струмі пучка 12 нА400 точок за секунду при струмі пучка 3 нА
Роздільна здатність зображення з максимальною швидкістю індексації156 x 128 пікселів156 x 128 пікселів312 x 256 пікселів
Розмір картинки1244 х 1024 пікселів622 x 512 пікселів1244 х 1024 пікселів
Оптиказ мінімальними спотворенням, кутова точність краща за 0,05 °з мінімальними спотворенням, кутова точність краща за 0,05 °°з мінімальними спотворенням, кутова точність краща за 0,05 °°
Сильфонне під’єднання до SEMТакТакТак

Якщо ви знайшли помилку, будь ласка, виділіть фрагмент тексту та натисніть Ctrl+Enter.

Повідомити про помилку

Текст, який буде надіслано нашим редакторам: