Система детектирования EBSD Oxford Instruments

Система детектирования EBSD Oxford Instruments

Метод EBSD (Electron backscattered diffraction, дифракции обратно рассеянных электронов), еще один дополнительный метод определения параметров образца в сканирующем электронном микроскопе (SEM). EBSD позволяет определять тип и ориентацию кристаллической решетки локально в каждой точке образца. Локальность при изучении массивных образцов составляет около 30 нм.

Применяется метод EBSD в металлургии, материаловедении и физике из-за относительной простоты подготовки образца, высокой скорость сбора данных, а также возможности получения однозначной информации о микроструктуру объекта исследования.

EBSD незаменим при идентификации фаз в случаях, когда исследуемые фазы имеют близкий (или совсем одинаковый) состав, соответственно не идентифицируются благодаря энергодисперсионному спектрометру, но при этом имеют разное строение кристаллических решеток. Картирование поверхности образца с помощью детектора EBSD позволяет выявить расположение кристаллитов, определить ориентацию каждого из кристаллитов по отношению к выделенному направлению на образце (например, к направлению прокатки), найти типы межзерновых границ, внутреннюю напряженность в зернах и прочее. Множество информации кроме фазовых и ориентационных карт может быть получено из массива данных, в котором записаны тип и ориентация кристаллической решетки для каждого пикселя на поверхности образца, выбранной для картирования.

Детекторы EBSD (Symmetry, C-Swift, C-Nano) от компании Oxford Instruments для одновременного анализа структуры, текстуры и химического состава материалов.

Новации | Аналитические системы Oxford Instruments
  • Удобный и простой в использовании интерфейс.
  • Автоматическая калибровка детектора EBSD.
  • Картирование с получением полных спектральных данных EDS одновременно с данным EBSD, что упрощает повторный анализ и интерпретацию результатов.
  • Уникальный датчик приближения – выявляет потенциальные возможности столкновения до того, как они пройдут, и автоматически перемещает детектор в безопасное положение.
  • революционизирует производительность: быстрая настройка, быстрый анализ, быстрая отчетность.
 SymmetryC-SwiftC-Nano
Скорость картирование ориентации с одновременным индексированием3000 точек в секунду при токе пучка 12 нА1000 точек в секунду при токе пучка 12 нА400 точек в секунду при токе пучка 3 нА
Разрешение изображения с максимальной скоростью индексации156 x 128 пикселей156 x 128 пикселей312 x 256 пикселей
Размер картинки1244 х 1024 пикселей622 x 512 пикселей1244 х 1024 пикселей
Оптикас минимальными искажениями, угловая точность лучше 0,05 °с минимальными искажениями, угловая точность лучше 0,05 °°с минимальными искажениями, угловая точность лучше 0,05 °°
Сильфонное подключения к SEMДаДаДа

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.

Сообщить об опечатке

Текст, который будет отправлен нашим редакторам: