Система детектирования EBSD Oxford Instruments
Метод EBSD (Electron backscattered diffraction, дифракции обратно рассеянных электронов), еще один дополнительный метод определения параметров образца в сканирующем электронном микроскопе (SEM). EBSD позволяет определять тип и ориентацию кристаллической решетки локально в каждой точке образца. Локальность при изучении массивных образцов составляет около 30 нм.
Применяется метод EBSD в металлургии, материаловедении и физике из-за относительной простоты подготовки образца, высокой скорость сбора данных, а также возможности получения однозначной информации о микроструктуру объекта исследования.
EBSD незаменим при идентификации фаз в случаях, когда исследуемые фазы имеют близкий (или совсем одинаковый) состав, соответственно не идентифицируются благодаря энергодисперсионному спектрометру, но при этом имеют разное строение кристаллических решеток. Картирование поверхности образца с помощью детектора EBSD позволяет выявить расположение кристаллитов, определить ориентацию каждого из кристаллитов по отношению к выделенному направлению на образце (например, к направлению прокатки), найти типы межзерновых границ, внутреннюю напряженность в зернах и прочее. Множество информации кроме фазовых и ориентационных карт может быть получено из массива данных, в котором записаны тип и ориентация кристаллической решетки для каждого пикселя на поверхности образца, выбранной для картирования.
Детекторы EBSD (Symmetry, C-Swift, C-Nano) от компании Oxford Instruments для одновременного анализа структуры, текстуры и химического состава материалов.
- Удобный и простой в использовании интерфейс.
- Автоматическая калибровка детектора EBSD.
- Картирование с получением полных спектральных данных EDS одновременно с данным EBSD, что упрощает повторный анализ и интерпретацию результатов.
- Уникальный датчик приближения – выявляет потенциальные возможности столкновения до того, как они пройдут, и автоматически перемещает детектор в безопасное положение.
- революционизирует производительность: быстрая настройка, быстрый анализ, быстрая отчетность.
| Symmetry | C-Swift | C-Nano | |
|---|---|---|---|
| Скорость картирование ориентации с одновременным индексированием | 3000 точек в секунду при токе пучка 12 нА | 1000 точек в секунду при токе пучка 12 нА | 400 точек в секунду при токе пучка 3 нА |
| Разрешение изображения с максимальной скоростью индексации | 156 x 128 пикселей | 156 x 128 пикселей | 312 x 256 пикселей |
| Размер картинки | 1244 х 1024 пикселей | 622 x 512 пикселей | 1244 х 1024 пикселей |
| Оптика | с минимальными искажениями, угловая точность лучше 0,05 ° | с минимальными искажениями, угловая точность лучше 0,05 °° | с минимальными искажениями, угловая точность лучше 0,05 °° |
| Сильфонное подключения к SEM | Да | Да | Да |
