Development of Semiconductor Devices
Our semiconductor device development service is based on interdisciplinary expertise in the fields of solid-state physics, materials science, and precision engineering.
We provide a full range of scientific and technical support throughout the development process—from the selection, synthesis, and characterization of raw materials to the optimization of the finished component’s architecture.
The main objective of this work is to improve the efficiency, miniaturization, thermal stability, and durability of electronic and sensor components.
Ми застосовуємо широкий спектр передових аналітичних платформ для забезпечення прецизійного контролю на всіх етапах розробки:
- Наноструктурний контроль — TEM і SEM використовуються для візуалізації мікроструктури та дефектів на нанорівні.
- Поверхневий та елементний аналіз — EDS/EDX і XPS (рентгенівська фотоелектронна спектроскопія) забезпечують точне визначення хімічного складу, чистоти та стану окиснення поверхневих шарів.
- Термохімічна верифікація — DSC і TGA (термічний аналіз) дозволяють досліджувати фазові переходи, термостійкість і стабільність матеріалів в умовах експлуатації.
- Молекулярний та топографічний контроль — Раманівська та FTIR-спектроскопія використовуються для підтвердження кристалічних фаз, тоді як AFM забезпечує оцінку шорсткості та топографії тонких плівок.
Завдяки цьому комплексному підходу створюються напівпровідникові архітектури з точно заданими функціональними властивостями.
Сенсорні системи та датчики
Розроблення високочутливих елементів і оптимізація топографії поверхні (AFM) для підвищення адгезії, стабільності сигналу та селективності до цільових сполук.
Мікроелектроніка
Створення й характеристика тонких плівок, нанопроводів і гетероструктур для підвищення ефективності роботи мікроелектронних компонентів.
Енергетика (сонячні елементи, батареї)
Інжиніринг, оптимізація та характеристика електродних матеріалів з акцентом на провідність, термостійкість і стабільність під час циклічних навантажень.
Матеріалознавство
Аналіз кристалічної структури й дефектів у напівпровідникових матеріалах, а також верифікація легування, фазової чистоти та гомогенності композитних структур.
Комплексний контроль напівпровідникових матеріалів потребує поєднання структурного, поверхневого та хімічного аналізу.
Ми застосовуємо взаємодоповнювальні методи мікроскопії та спектроскопії, які дозволяють досліджувати матеріал на різних рівнях — від атомної будови до хімічного складу — для повного розуміння його властивостей і стабільності.
Структурна діагностика
Використання TEM і SEM для візуалізації морфології, мікроструктури та внутрішньої архітектури матеріалу.
Поверхневий аналіз
Застосування AFM для вимірювання шорсткості й топографії поверхні та ЕДС для визначення елементного складу поверхневих шарів.
Хімічна верифікація
EDS/EDX застосовуються для локального елементного картування, тоді як Раманівська та FTIR-спектроскопія забезпечують ідентифікацію фазового й молекулярного складу.